三星宣布推出512GB的DDR5内存，这是DDR4的两倍
随着我们的英寸更靠近英特尔＆＃39; S桤木和amd＆＃39; s zen 4架构（今年晚些时候和/或禁止任何延误），记忆制作者已经开始宣布DDR5内存的进步，这将提供一个带宽大幅增加。我们甚至看到了一些DDR5模块发射。然而，三星已经设法从包装中分开了自己所说的是基于高k金属门（HKMG）工艺技术的行业和＃39; S的第一512GB内存模块。
您可能已经听说过HKMG，因为它已经存在于2007年的长时间 - 英特尔首次利用其45纳米逻辑技术（Penryn）（Penryn），其组合了一种基于铪的辩证层（而不是二氧化硅）利用由新金属制成的栅电极来打击栅极泄漏，通过称为量子机械隧道的过程发生的现象。
HKMG传统上已用于半导体设计（三星也在2018年在其GDDR6内存中采用它），但由于DRAM结构继续缩小，绝缘层已经变薄，导致漏电流较高。因此，三星用HKMG材料取代了绝缘体。在这样做时，该公司表示已经能够减少泄漏并实现新的DDR5性能水平，同时消耗13％的电力 - 为数据中心的福音提供，每一点储蓄物质。
根据三星的说法，它的512GB DDR5内存模块可提供DDR4的两倍以上的性能，每个每秒高达7,200兆比特（Mbps）。这是该公司所说，这将对最极端的计算饥饿和高带宽工作负载有益。
＆＃34;三星是唯一具有逻辑和内存功能的半导体公司，以及将HKMG尖端逻辑技术合并到内存产品开发中的专业知识，＆＃34; Samsung Electronics的DRAM内存规划/支持组副总裁Young-Soohn说。 ＆＃34;通过将这种类型的流程创新带到DRAM制造，我们能够为客户提供高性能，但节能的记忆解决方案，为医学研究，金融市场，自动驾驶，智能城市和智能城市所需的电脑供电超越。＆＃34;
当然，我们对DDR5可以在消费者方面提供的东西，即将到来的平台来自AMD和英特尔。然而，在这种情况下，三星是针对数据中心环境和其他专业群体，以处理超级计算，人工智能（AI），机器学习（ML），数据分析等中的高级工作负载。
512GB的容量通过堆叠八层16千兆位（GB）DRAM芯片。虽然三星表示，但是没有提及费用，但三星目前正在向客户采样512GB模块进行测试和验证。
